反激开关电源开关MOS管选择
MOS管驱动电路
MOS关驱动：慢开快关，注意是相对的，不是开通越慢越好，也不是关断越快越好
原因：开通时候电流大，关断的时候电流小
MOS开通太快，对EMI不利，对效率有利，需要折中（ 反激驱动电阻 on ： 22-100Ω off ： 0-10Ω ）
驱动波形，波形最好不要有振荡，或者说振荡越小越好，比如平台处的振荡最危险，可能引起误开通或关断，或者重复开关的动作，有烧毁管子的风险，所以布局要布好，缩短回路减小寄生参数，避免振荡，当然用示波器测试MOSFET的GS波形时，应该把测试引线尽量最短，测试引线长可能会使测出的波形有干扰不够真实，当有振荡时可以适当增大驱动电阻来降低或消除振荡。
MOS管的选择
1、MOS管的耐压：Vmos= Vin_max+Vor+100+50=650V
2、MOS管的电流，常态电流一般不会超标，主要跟温度有关，MOS管温度不能太高，结温不允许超过150℃，留一定余量之后，在最高的环境要求之下不要超过110℃，假设要求最高环境温度为70℃，那么温升不能超过40℃，依次类推，MOS管发热相关的因素：导通损耗（与导通电阻Rds_on和电流相关），开通和关断损耗（与电流、频率、开关速度有关）
MOS管的整体趋势为电流越大，导通电阻Rds_on 越低的趋势
比如10W电源，选择2-4A的MOS，50W电源选择7-10A的MOS管，100W电源选择10-20A的MOS管