数字后端概念——FinFET/Nanosheet FET
FinFET/Nanosheet FET的概念
3nm后，芯片该何去何从？
3nm后，芯片该何去何从？
解决以上问题的有效办法是将电源/接地线埋入基板，即BPR（Buried Power Rails）。利用BPR方法，可将Track数量减少至5T，此外，可以将信号排线数量保持为4T。
通过导入BPR，电源/接地排线引起的电压下滑约为40%，与之前相比下降幅度大幅度降低了。BPR情况下，即使排线较细，也可以保证高度，因此，很容易使排线的断面积做的较大。即，可以降低电阻。BPR带来的低电阻大大地缓解了电压下降的问题（即有利于电源电压的稳定）。
此外，通过优化供给电源的排线网络（PDN），线路模组的硅面积大约减少了14%（排除以下：通过缩小晶体管、减少线路的Track数量，削减硅晶圆面积）。