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华大flash EFM使用（一）

news 来源：原创 2024/9/20 6:07:42

1，嵌入式 Flash 具有三个主接口：
· 64 位 ITCM 接口：
– 该接口连接 Cortex-M7 的 ITCM 总线，用于指令执行以及数据读访问。
– ITCM 接口不支持写访问。
– 支持 64 个标准化缓存行， 256 位宽（ ART 加速器）。
· 64 位 AHB 接口：
– 该接口通过 AHB 总线矩阵连接 Cortex-M7 的 AXI 总线，用于代码执行以及读写
访问。
– 无论寻址的 Flash 接口是 TCM 还是 AHB， Flash 上的 DMA 和外设 DMA 数据传输
均通过 AHB 接口完成。
· 32 位 AHB 寄存器接口：
– 用于访问控制寄存器和状态寄存器。

2，Flash 中断
如果将 FLASH_CR 寄存器中的操作结束中断使能位 (EOPIE) 置 1，则在擦除或编程操作结
束时，即 FLASH_SR 寄存器中的繁忙位 (BSY) 清零（操作成功完成或未成功完成）时，将
产生中断。此时， FLASH_SR 寄存器中的操作结束 (EOP) 位置 1。
如果在请求编程、擦除或读操作期间出现错误，则 FLASH_SR 寄存器中的以下错误标志位之
一将置 1：
· PGAERR、 PGPERR、 ERSERR（编程错误标志）
· WRPERR（保护错误标志）
这种情况下， FLASH_CR 寄存器中的错误中断使能位 (ERRIE) 置 1，并且如果 FLASH_SR
寄存器中的操作错误位 (OPERR) 置 1，则将产生一个中断。

3，FLASH 具有以下主要特性：
容量高达 2Mbytes，由两块 1Mbytes 的 FLASH 构成，共 256 个扇区，每个扇区为
8Kbytes。块 0 中扇区 0~扇区 15 为可配置为 OTP 区域。
OTP(One Time Program)区域共 134KBytes，其中 128Kbytes 配置在块 0 地址
0x0000_0000~0x0001_FFFF， 6Kbytes 配置在地址 0x0300_0000~0x0300_17FF。地址
0x0300_1800~0x0300_1AD7 为 OTP 数据锁存区。
128 位宽数据读取，读缓存 128 位宽缓冲，加速代码执行。
编程单位为 4bytes,擦除单位为 8Kbytes。

4，flash编程常用接口举例读写说明：
单次编程无回读功能
单编程无回读模式设定步骤如下：
1) 解除 FLASH 的寄存器写保护。 (EFM_FAPRT 先写 0x0123，再写 0x3210)
2) 解除 EFM_KEY1 锁定。 (EFM_KEY1 先写 0x01234567，再写 0xFEDCBA98)
3) 设定单次编程模式。 (EFM_FWMC.PEMODE[2:0]=001)
4) 解除写保护。 (EFM_ F0/1NWPRTx(x=0~3)对应位设定为 1)
5) 对编程地址写入 32 位数据
6) 等待 FLASH 处于空闲状态。 (EFM_FSR.RDY0/1=1)
7) 判断编程自读取结果标志位。 (EFM_FSR.MISMTCH0/1)
如为 0，则表示编程成功；为 1 表示该 FLASH 地址已遭破坏，永久废弃。
8) 清除编程结束标志位。 (EFM_FSR.OPTEND0/1)
对已锁存的 OTP 地址发行单编程回读写操作，编程不成功，标志位
EFM_FSR.OTPWERR0 置位。

a,解除 FLASH 的寄存器写保护

__STATIC_INLINE void EFM_REG_Lock(void)；

b,解除 EFM_KEY1 锁定

void EFM_FWMC_Cmd(en_functional_state_t enNewState)
{
DDL_ASSERT(IS_FUNCTIONAL_STATE(enNewState));

if (ENABLE == enNewState) {
WRITE_REG32(CM_EFM->KEY1, 0x01234567UL);
WRITE_REG32(CM_EFM->KEY1, 0xFEDCBA98UL);
} else {
SET_REG32_BIT(CM_EFM->FWMC, EFM_FWMC_KEY1LOCK);
}
}

调用：EFM_FWMC_Cmd(ENABLE);

c，解除写保护

void EFM_SequenceSectorOperateCmd(uint32_t u32StartSectorNum, uint16_t u16Count, en_functional_state_t enNewState)

解除从u32StartSectorNum开始的u16Count个sector的写保护锁。

调用：EFM_SequenceSectorOperateCmd(0, 256U, ENABLE);

也有单个的解保护锁：

void EFM_SingleSectorOperateCmd(uint8_t u8SectorNum, en_functional_state_t enNewState)

d，单个数据的写入

int32_t EFM_SingleProgram(uint32_t u32Addr, uint32_t u32Data)

批量数据的写入：

int32_t EFM_Program(uint32_t u32Addr, uint8_t *pu8Buf, uint32_t u32Len)

int32_t EFM_SequenceProgram(uint32_t u32Addr, uint32_t u32Len, const uint32_t * pu32Buf)

e,写完后带回读校验，看返回值推测校验结果

不带校验的读：

int32_t EFM_ReadByte(uint32_t u32Addr, uint8_t *pu8ReadBuf, uint32_t u32ByteLen)

待校验的读：

int32_t EFM_ProgramWordReadBack(uint32_t u32Addr, uint32_t u32Data)

f, 等待 FLASH 处于空闲状态

#define SET 1

do {
flag1 = EFM_GetStatus(EFM_FLAG_RDY);
flag2 = EFM_GetStatus(EFM_FLAG_RDY1);
} while ((SET != flag1) || (SET != flag2));

g, 清除编程结束标志位

EFM_SequenceSectorOperateCmd(0, 256U, DISABLE);

EFM_FWMC_Cmd(DISABLE);

__STATIC_INLINE void EFM_REG_UNLock(void)；

单编程回读功能:判断编程自读取结果标志位。 (EFM_FSR.MISMTCH0/1)
如为 0，则表示编程成功；为 1 表示该 FLASH 地址已遭破坏，永久废弃

5,擦除功能
对 FLASH 进行扇区擦除操作后，该扇区内地址(8KBytes 空间)数据刷新为全 1。扇区擦
除操作设定步骤如下：
1) 解除 FLASH 的寄存器写保护(EFM_FAPRT 先写 0x0123，再写 0x3210)。
2) 解除 EFM_KEY1 锁定。 (EFM_KEY1 先写 0x01234567，再写 0xFEDCBA98)
3) 设定擦除模式(EFM_FWMC.PEMOD[2:0]=100)。
4) 解除写保护。 (EFM_ F0/1NWPRTx(x=0~3)对应位设定为 1)
5) 对需要擦除扇区内的任意地址(地址需以 4 对齐)写入 32 位任意值。
6) 等待 FLASH 处于空闲状态。 (EFM_FSR.RDY0/1=1)
7) 清除擦除结束标志位。 (EFM_FSR.OPTEND0/1)
对已锁存的 OTP 地址发行擦除操作，擦除不成功， OTP 区域数据保留，标志位
EFM_FSR.OTPWERR0 置位。