材料科学基础学习指导-吕宇鹏-名词和术语解释-第二章晶体缺陷
1.1点缺陷： 点缺陷是最简单的晶体缺陷，它是在结点上或邻近的微观区域内偏离晶体结构正常排列的一种缺陷。其特征是在三维空间的各个方向上尺寸都很小，尺寸范围约为一个或几个原子尺寸，故称零维缺陷，包括空位、间隙原子、杂质或溶质原子等。
1.2线缺陷： 其特征是在两个方向上尺寸很小，另外一个方向上延伸较长，也称一维缺陷，如各类位错。
1.3面缺陷： 其特征是在一个方向尺寸上很小，另外两个方向上扩展很大，也称二维缺陷，晶界、相界、孪晶界和堆垛层错都属于面缺陷。
2.1空位： 一个原子具有足够大的振动能而使振幅增大到一定限度时，就可能克服周围原子对它的制约作用，跳离其原来的位置，使点阵中形成空结点。
2.2间隙原子： 从空位中跳离，挤入点阵的空隙位置的原子。
2.3 肖脱基缺陷： (肖脱基空位)即晶体结构中的一种因原子或离子离开原来所在的格点位置进入到其他空位、晶界或表面而形成的空位式的点缺陷。
2.4弗兰克尔缺陷： 离位原子进入到晶体间隙中而形成的点缺陷。
3.1刃型位错： 一种位错在晶体中有一个刀刃状的多余半原子面的位错形式。
3.2螺型位错： 一个晶体的某一部分相对于其余部分发生滑移，原子平面沿着一根轴线盘旋上升，每绕轴线一周，原子面上升一个晶面间距。在中央轴线处即为一螺型位错。
3.3混合位错： 滑移矢量既不平行也不垂直于位错线，而与位错线相交成任意角度的位错。
3.4位错线：晶体或晶格内滑移面上已滑动区的边界线称位错线或位错环。
3.5柏氏矢量： 通常将形成一个位错的晶体的相移矢量定义为该位错的柏氏矢量，用b表示。
3.6位错密度：单位体积晶体中所含的位错线的总长度。
4.1滑移： 在外加应力作用下，通过位错中心附近的原子沿柏氏矢量方向在滑移面上不断地作少量的位移的过程。
4.2攀移： 刃型位错在垂直于滑移面的方向上运动，把多余半原子面向上或向下运动的过程。
4.3交滑移：当某一螺型位错在原滑移面上受阻时，从滑移面转移到与之相交的另一滑移面上的过程叫做交滑移。
4.4交割：一个位错在某一滑移面上运动时，会与穿过滑移面的其他位错发生相互作用的过程。
4.5塞积（未找到）--- > 位错塞积： 位错运动遇到障碍（晶界、第二相粒子以及不动位错等），如果其向前运动的力不能克服障碍物的力，位错就会停在障碍物面前，由同一个位错源放出的其他位错也会被阻在障碍物前，这种现象称为位错塞积。
5.1位错的应力场： 位错周围的原子都不同程度的偏离了其原来的平衡位置而处于弹性形变状态，这就引起能量升高并产生内应力，若把这些原子所受的应力合起来，便可形成一个以位错线为中心的应力场。
5.2位错应变能： 晶体中位错的存在引起点阵畸变，导致能量升高，此增量称为位错的应变能。（课本的问题是应变能）
5.3位错线张力： 由于位错具有应变能，所以位错线有尽量缩短长度或自动变直的趋势，这表明存在一个沿着位错线作用的力，此力即位错的线张力。（课本的问题是线张力）
5.4作用在位错线上的力： 晶体中的位错在外加应力或其他内应力的作用下将会发生运动或者有运动的趋势，为了描述位错的运动，我们假定在位错线上作用了一个力F，这个假想的力就叫做作用在位错线上的力。
6.1位错源： 位错源是晶体中位错开始发生的部位。
6.2位错的增殖： 晶体在受力过程中，位错发生运动，位错数目增加，位错密度变大的过程。
7.1单位位错： 也称特征位错，就是指它的柏氏矢量等于晶体中最短的点阵矢量的位错。
7.2不全位错： 柏氏矢量不等于点阵矢量的不全位错。
7.3堆垛层错： 堆垛层错是层状结构晶格中常见的一种面缺陷，即晶体结构层正常的周期性重复堆垛顺序在某二层间出现了错误。
7.4肖克莱位错： 面心立方晶体中A层的一部分滑移至B层原子的位置，其上部的各层也跟着移动，但滑移只限于一部分，在两者的交界处发生了原子的严重错排，层错与完整晶体的边界就是肖克莱位错。
7.5弗兰克位错： 在晶体中抽去B层原子的右边一部分而让其上面的C层垂直落下来，由于B层的右边部分抽去而左边部分没有抽去，靠近层错的边沿位置的原子畸变大，但远离边沿的原子由于垂直落下，故原子排列虽发生层错，但仍处于密排位置，并不发生畸变。这些畸变处的原子即组成不全位错。
8.1扩展位错： 通常把一个全位错分解为两个不全位错，中间夹着一个堆垛层错的整个位错组称为扩展位错。
8.2固定位错： 固定位错一般是指那些被“锁住”的位错，它们有可能是两个位错相互作用形成,也有可能是和界面相互作用形成的。
8.3可动位错： 一个全位错分解为两个或多个不全位错，其间以层错带相联，这个过程称为位错的扩展，形成的缺陷体系称为可动位错。
8.4位错反应：由几个位错合成一个新位错或者由一个位错分解成几个新位错的过程称为位错反应。
9.1晶界： 属于同一固相但位向不同的晶粒之间的界面称为晶界。
9.2相界： 具有不同结构的两相之间的分界面称为相界。按结构特点，相界面可分为共格相界、半共格相界和非共格相界三种类型。
9.3界面能：界面上的原子处在断键状态，具有超额能量。平均在界面单位面积上的超额能量叫界面能。
9.4大角度晶界： 相邻晶粒的位向差大于10°的晶界。
9.5小角度晶界： 相邻晶粒的位向差小于10°的晶界。
9.6孪晶界： 两个晶体沿一个公共晶面构成晶面对称的位向关系，这两个晶体的公共晶面就称为孪晶面。