STM32G473之flash存储结构汇总
STM32G4系列单片机，为32位的微控制器，理论上其内部寄存器地址最多支持4GB的命名及查找（2的32次方，地址命名为0x00000000至0xFFFFFFFF）。STM32官方对4GB的地址存储进行编号时，又分割成了8个block区域，每个block为512kb的空间，这就是block的概念。如下图block0-7的划分。
一、 Block的概念：
block0为作为代码区，存默认的向量表，用于存放下载的代码。系统上电后，将从该部分读取代码；
block1作为SRAM区，用于存放运行代码。系统上电后，将从Flash读取代码，放到SRAM里，CPU再从SRAM读取代码运行；
block2作为片上外设区，用于存放厂商外设寄存器。如USART，I2C等，要操作外设，即修改这里对应的外设寄存器；
针对block0的空间区域，stm32官方根据功能用途划分出了主存储区（Main memory） 和信息块（information block）两部分。主存储器区域用于存储用户应用程序，也可以保存一些断电需要保存的数据。这个区域也就是我们常说的flash区域。信息块用于存放一些芯片的出厂信息等，一般用不到。
二、 Bank的概念：
根据STM32官方手册，其blcok0的空间512kb区域，又可以分为2个bank区的工作模式和1个bank区的工作模式，这就是bank的来历，两种工作模式读写的宽度不一样。系统可以设置DBANK位来进行工作模式的切换。默认情况下，系统工作在双bank的模式，存储空间被划分为bank1和bank2，每个bank256kb的空间大小。
三、 Page的概念：
STM32对bank的空间再进行细分，又引入了page的概念，每个page大小为2k个字节大小。为什么要引入page的概念呢？这就涉及到flash的原理，flash存储最小的擦除单位就是页，因此在stm32系统里，针对flash的擦除方式分为页擦除（Page Erase）和Mass擦除（Mass Erase）。其中页擦除是最常用的擦除方式，适用于擦除一个页的内容。页擦除操作会将页内的所有字节清零。而mass擦除是一种擦除整个Flash存储器内容的操作，一般少用。
四、 Flash和Eeprom区别：
Flash和Eeprom是两种不同掉电存储技术，它们在读取、写入、擦除方式等方面都有所区别。
写入方式：Flash通常需要page进行写入，而EEPROM可以按字节进行写入。
擦除方式：Flash一般需要按块进行擦除，而EEPROM可以按字节进行擦除。
寿命：Flash和EEPROM的寿命取决于使用方式和应用场景。一般来说，EEPROM可以进行单独的字节单位的写入和擦除，而Flash需要进行整个页面或扇区的擦除，因此EEPROM的寿命可能会更长。
对于stm32而言，其内部只有flash，没有EEPROM。这是其一个缺点，导致我们存储一些掉电数据时，是通过将数据保存在main memory区域，而这个区域又保存了我们程序代码，因此我们在进行掉电保存时，必须要小心，并计算好程序代码占用的空间，把掉电要保存的数据存储在离程序代码远的一些page里面。