开关电源RCD吸收电路解析与设计
开关电源RCD吸收电路解析与设计
引言
在电源设计中，RCD电路以其出色的能量吸收能力，有效降低电阻损耗，从而被广泛应用。然而，对于新手来说，理解和掌握开关电源中的RCD吸收电路可能是一个挑战。本文旨在深入剖析RCD吸收电路的设计原理和步骤，帮助读者更好地理解和应用这一技术。
背景知识
在开关电源中，MOS管的电压尖峰是一个需要重点关注的问题。为了解决这个问题，有多种吸收电路可供选择，如RCD、RDTVS和RCD+TVS等。本文将重点讨论前两种电路的设计。如下图
电路设计基础
在开始设计之前，我们先定义一些关键变量，以便更好地描述和理解电路设计过程：
- Lr：初级漏感电感量
- Vcmax、Vcmin、Vcavg、△Vc：分别代表RCD中电容C两端的峰值电压、谷底电压、平均电压以及峰值与谷底电压的差值
- Vtvs：TVS的击穿电压
- f：开关电源的工作频率
- Ipk：变压器初级的峰值电流
- Vdsmax：主开关管MOS的最大额定电压
- Vor：次级反射到初级的反